摘要
本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近(下层)结构改进(透明集电区)、耐压层附近(中层)结构改进(NPT、FS/SPT等)和近表面层(上层)结构改进(沟槽栅结构、注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT、Trench IGBT、FS-IGBT、Trench FS- IGBT、SPT、SPT+、IEGT、HiGT、CSTBT等。
The development of IGBT is presented in this paper .It includes the new concepts： transparent collector,FS,trench gate and injection enhanced and the New sorts products： PT-IGBT, FS-IGBT, TrenchIGBT, IEGT, HiGT.
出处
《电力电子》
2006年第5期10-15,共6页
Power Electronics
