摘要
多晶硅薄膜材料已广泛应用于太阳能电池和集成电路制造等领域。本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展。
The polycrystalline silicon （Poly - Si） films are widely used in energy sources and informational science field. This article presents the technology of Poly- Si films by metal induced crystallization, and discusses crystalline mechanism. Finally, the developed tendency of Poly- Si films is predicated.
出处
《轻金属》
CSCD
北大核心
2006年第11期48-50,共3页
Light Metals
关键词
多晶硅薄膜
金属诱导
低温晶化
Poly- Si films
metal indaced
low temperature crystallization
