铁电薄膜存储器在智能卡中的应用

Application of Ferroelectric Film Memory to the Smart Card

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摘要描述铁电薄膜存储器在智能卡中应用，并与半导体存储器比较． The application of ferroelectric film memory (FeRAM) to the smart card is present. The comparison between the FeRAM and semiconductor memories is also given.

作者丁爱丽罗维根

机构地区中国科学院功能材料开放实验室

出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期573-580,共8页 Journal of Inorganic Materials

关键词铁电薄膜智能卡存储器半导体 ferroelectric film, FeRAM, smart card

分类号 TP333.3 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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1罗维根,丁爱丽.不挥发铁电存储器的最新发展[J].无机材料学报,1996,11(1):19-22. 被引量：8

共引文献7

1陈志武,程璇,张颖.温度对PLZT铁电陶瓷电疲劳性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2004,33(8):847-851. 被引量：4
2包定华,吴小清,张良莹,姚熹.MOD制备的PZT薄膜的相结构发展和成分分析[J].无机材料学报,1999,14(1):119-126. 被引量：1
3张宁欣,桂治轮,李龙土.铁电存储器及其疲劳机制的研究[J].山东陶瓷,1999,22(2):9-13.
4易图林,何翔,孙奉娄.脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究[J].西南民族学院学报（自然科学版）,1999,25(1):45-49.
5赵添,张英杰,任思颖.浅谈航天领域中的铁电存储器[J].科技创新导报,2010,7(36):11-11. 被引量：1
6仇萍荪,罗维根,丁爱丽.钇改性PZT薄膜的极化印刻研究[J].无机材料学报,2001,16(5):928-932. 被引量：2
7王文,周玉,叶枫,贾德昌,宋桂明,雷廷权.SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的结构与性能研究进展[J].材料工程,2001,29(8):44-47. 被引量：1

1郝梅.铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制[J].武汉商业服务学院学报,2001(3):38-43.
2彭烈涛,林更琪,廖红伟,李震,李佐宜.铁电薄膜存储器底电极Pt/Ti的制备及性能研究[J].信息记录材料,2002,3(3):9-12. 被引量：4

无机材料学报

1996年第3期

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