利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法

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摘要本发明是一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：1）取一衬底；2）在该衬底上的硅（001）晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；3）在氧化锌缓冲层上，采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。

出处《无机盐工业》 CAS 北大核心 2006年第12期33-33,共1页 Inorganic Chemicals Industry

关键词氧化锌薄膜低温生长缓冲层单晶硅(001) MOCVD 磁控溅射外延薄膜

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无机盐工业

2006年第12期

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