30V N沟道MOSFET

该器件采用了N沟道OptiMOS3工艺制造，采用SuperS08封装，最大额定导通电阻仅为1．6mΩ。它具有很低的门极电荷。易于驱动，可以使用成本较低的驱动器。此外。优值系数（FOM）的提高使得驱动器的负荷降低30％，大大降低了驱动器工作温度。