28V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率

长期以来，制造功率放大器的主要工艺技术一直是硅LDMOS，但采用硅LDMOS制造工艺的功率放大器，往往不能满足在达到出色的线性度的情况下叉具有很高的效率。另外，1W～10W功率放大级又是人们长期忽视的市场，再加上目前基站都是采用28V供电。针对这样的市场空缺，WJ通讯公司最近推出了采用28V InGaP／GaAs HBT制造工艺技术并适用于1W～10W的功率放大器AP60x，性能超过LDMOS，线性度也提高了10％。