摘要
本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3。其中(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面机电耦合系数kp>=0.51,损耗tan居里温度c=385oC。这些参数表明,该压电陶瓷具有很好的应用前景。
出处
《电子产品世界》
2006年第12X期96-98,共3页
Electronic Engineering & Product World