硅深层刻蚀技术实现3D集成
摘要
3D 互连要求制作硅直通孔的刻蚀设备具有很好的均匀性,同时要求晶圆间具有可重复性和高的生产率。
出处
《集成电路应用》
2006年第11期24-27,共4页
Application of IC
-
1Philip Garrou.前进中的晶圆级3D集成[J].集成电路应用,2007,24(3):66-68.
-
2王明涛,何君.3D集成技术在尖端领域的应用及其发展趋势[J].半导体技术,2013,38(5):328-332. 被引量:6
-
3P. Lindner,S. Pargfrieder.用于系统级封装和3D互连的圆片间及芯片-圆片的集成技术[J].电子工业专用设备,2007,36(3):67-67.
-
4Alexander E. Braun.3D集成缺乏设计和测试支持[J].集成电路应用,2009(1):42-42.
-
5王辉,向伟玮,陆吟泉,刘志辉.芯片级集成射频垂直互连技术[J].电子工艺技术,2016,37(6):320-322. 被引量:5
-
6Maxim采用3D集成技术构建业内最小的D类放大器方案[J].电子质量,2012(2):55-55.
-
7张荣臻,高娜燕,朱媛,丁荣峥.基于信号/电源完整性的3D-SiP陶瓷封装设计[J].电子与封装,2017,17(1):1-5. 被引量:6
-
8刘晓阳,刘海燕,于大全,吴小龙,陈文录.硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展[J].电子与封装,2015,15(8):1-8. 被引量:10
-
9独莉,宿磊,陈鹏飞,张昆,廖广兰,史铁林.应用于3D集成的高密度Cu/Sn微凸点键合技术[J].半导体光电,2015,36(3):403-407. 被引量:2
-
10冯新凯,徐胜,濮怡莹,姚剑敏,郭太良.GPU加速在集成成像的应用[J].电视技术,2013,37(11):54-56.