基于硅的锗外延技术实现高性能CMOS器件
摘要
相对于采用选择性锗硅外延的应变硅而言,基于锗工艺制造的 PMOS 能够进一步提高其驱动能力。将适当的锗前驱物安装在标准硅外延设备上就可以生产锗硅(GOS)晶圆。
出处
《集成电路应用》
2006年第11期35-37,共3页
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