ZnO－B_2O_3－SiO_2系统的介电性能研究

对ＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０－４，αＣ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０－５／℃。调整各组分，获得一系列αＣ＞０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０１３Ω，αＣ＝０±３０×１０－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃。