摘要
研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
We fabricated 780±2nm visible quantum well semiconductor lasers. In the room temperature, the lowest threshold current is 30mA, the threshold current density is 400～600A/cm 2, the average liner output power is greater than 20 mW.
出处
《山东科学》
CAS
1996年第4期15-16,20,共3页
Shandong Science
基金
山东省科委资助项目
