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长波长1.3μm超辐射发光管的制备
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摘要
对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜(AR)制备超辐射发光管(SLD),测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布,并计算了器件端面的剩余反射率。
作者
鲍海飞
石家纬
刘明大
金恩顺
李淑文
机构地区
哈尔滨工业大学航天学院航天电子与光电工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期25-28,共4页
Semiconductor Technology
关键词
超辐射发光管
减反射膜
剩余反射率
分类号
TN248.405 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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