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一种优化设计的高频高压电力半导体器件 被引量:7

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摘要 介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管(GAT)的结构、工作原理。通过采用网格版图设计,加场限环,使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
机构地区 北京工业大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期29-32,共4页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

同被引文献20

  • 1蔡树军 王长河.SEBISIT-一种新型抗核辐照高压功率晶体管的研究[J].半导体技术,1987,22(6):7-15.
  • 2沈永欢 梁在中 等.实用数学手册[M].北京:科学出版社,1997..
  • 3淌骶,半导体技术,1987年,12卷,6期,7页
  • 4胡嗣柱,数学物理方法,1989年
  • 5庄宝煌,厦门大学学报,1999年,38卷,5期,676页
  • 6蔡树军,半导体技术,1987年,12卷,6期,7页
  • 7浙江大学半导体器件教研室,晶体管原理,1980年
  • 8胡嗣柱,数学物理方法,1989年
  • 9蔡树军,半导体技术,1987年,22卷,6期,7页
  • 10陈启秀,浙江大学,1984年

引证文献7

二级引证文献4

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