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一种优化设计的高频高压电力半导体器件
被引量:
7
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摘要
介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管(GAT)的结构、工作原理。通过采用网格版图设计,加场限环,使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
作者
邹德恕
亢宝位
杜金玉
王东风
高国
王敬元
机构地区
北京工业大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期29-32,共4页
Semiconductor Technology
关键词
静电屏蔽晶体管
栅极
半导体器件
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1996年 第6期
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