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用于Gb级DRAM的TiO_2薄膜结构的研究

Study of the Structure of TiO 2 Thin Films for Gb Range DRAM
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摘要 运用反应磁控溅射技术制备了应用于Gb级DRAM中的TiO2薄膜。本文报道了对该薄膜进行X射线衍射结构分析所得到的详细结果。 TiO 2 thin films were prepared by reactive magnetron sputtering for gigabit (Gb) range DRAM applications. Their structures were studied by X-ray diffraction (XRD) in detail. The relation between the crystalline structure and the annealing conditions of TiO 2 films was described.
出处 《电子器件》 CAS 1996年第4期272-276,共5页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 X射线衍射 二氧化钛 薄膜结构 TiO 2 films,XRD,DRAM
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