183MHz双数据速率同步移动RAM

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摘要奇梦达股份公司推出首款183MHz双数据速率同步移动RAM（DDR366）。这款存储器采用60球细密球型网数组封装（FBGA封装），存储容量为512MB，工作电压为1．8V，符合JEDEC DDR标准。这款全新高速移动RAM的数据传输速率为366MB／s，比标准DDR266 DRAM快30％。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。这款移动RAM不但具备电池供电设备所需的超低功耗，

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2007年第1期133-133,共1页 EDN CHINA

关键词 DRAM 同步移动数据速率 DDR266 BGA封装数据传输速率电池供电设备 512MB

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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