Pd—MOSFET稳定性研究
出处
《电子》
1990年第1期13-16,共4页
-
1贾正根.液晶敏感器件[J].电子工程师,1992(2):35-38.
-
2田敬民.非晶硅敏感器件研究进展[J].传感技术学报,1992,5(4):58-63.
-
3静电放电敏感件分类[J].LSI制造与测试,1994,15(6):36-39.
-
4刘健.2ST006型氢离子敏感器件稳定性研究[J].电子,1990(1):19-24.
-
5李元鹏.光缆中产生氢气的测量方法[J].现代有线传输,1994(2):1-6.
-
6刘大路,郑敏华.静电敏感半导体器件的静电防护[J].中山集团评论,1990(3):38-49.
-
7薛文进.半导体和陶瓷敏感器件的发展[J].光电子技术,1989,9(1):28-40.
-
8李勇,曹有豪.对我省发展电子敏特技术产业的建议[J].技术开发与引进,1989(3):5-6.
-
9梁坚,郑文云,廖怀军,吕怡.如何降低稳压电源的噪声[J].红外技术,2006,28(3):147-149.
-
10唐经球.小膜片制作工艺方法[J].电子工艺简讯,1993(8):10-11.
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