高矫顽力铁氧体膜的制作及其在硬盘介质上的应用

采用溅射法制作高密度硬盘所必须的钡铁氧体膜及其磁特性的改进。垂直磁记录介质用的钡铁氧体溅射膜采用Xe（氙）溅射法来制作，可以将矫顽力控制在160kA／m（2kOe）左右，并改善了饱和磁化值。另外，在Co系铁氧体膜中，通过Co离子与Zn的置换，可将其作为记录介质显得过高的矫顽力239～320kA／m（3～4kOe）控制在80～320kA／m（1～4kOe）之间。实际上。