MOS FET短沟道效应入门
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1990年第6期28-32,9,共6页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1江炳尧,沈鸿烈.低能Si^+离子注入GaAs材料的沟道效应和...[J].科技通讯(上海),1992,6(3):15-20.
-
2K.Konrad Young,宋湘云.深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应[J].微电子学,1989,19(5):92-95.
-
3半导体技术[J].中国无线电电子学文摘,2005,0(2):36-45. 被引量:1
-
4张杰,柯导明,徐太龙,马强,陈军宁.叠栅MOSFETs的结构设计与研究[J].电子技术(上海),2010(6):81-83.
-
5李龙镇.消除锁相环中由于短沟道效应导致的抖动[J].电子测试,2015,26(2X):25-26.
-
6谭思昊,李昱东,徐烨峰,闫江.超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响[J].东北石油大学学报,2017,41(1):117-122. 被引量:1
;