SJ2240中的中子嬗变掺杂技术和NTD硅质量问题的探讨
-
1周国华.NTD Si材料的微结构研究[J].武汉工业大学学报,1990,12(1):29-36.
-
2张维连.中子嬗变掺杂直拉硅退火温度与目标电阻率的关系[J].固体电子学研究与进展,1989,9(1):77-81. 被引量：1
-
3董友梅,李燕山,戴培英.电子辐照NTD硅的少数载流子寿命[J].郑州大学学报（自然科学版）,1997,29(2):47-49. 被引量：1
-
4钱静波.中子嬗变硅全桥应变计[J].传感器技术,1997,16(4):51-54.
-
5徐传骧,何绍福,崔秀芳.中子嬗变掺杂硅单晶pn结击穿特性的研究[J].电力电子技术,1994,28(1):61-64. 被引量：1
-
6张维连,王志军.高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子[J].电子学报,1996,24(2):92-95.
-
7董友梅,戴培英.电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性[J].郑州大学学报（自然科学版）,1998,30(3):40-43. 被引量：1
-
8张维连,徐岳生,李养贤.中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应[J].电子科学学刊,1991,13(5):556-560.
-
9戴培英,李燕山,董友梅.NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性[J].郑州大学学报（自然科学版）,1997,29(3):28-30. 被引量：2
-
10邹胜强.NTD硅电阻率径向不均匀度曲线族[J].稀有金属,1989,13(3):256-260.
