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LSI用NTDCZSi的IG处理研究

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摘要利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的CZSi(NTDCZSi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDCZSi的IG处理,与CZSi的IG处理相比具有时间短、重复性、可靠性和稳定性规范性好的优点,在LSl制备中取得了良好的效果。

作者张维连

机构地区河北工学院

出处《电子工艺技术》 1990年第1期19-20,共2页 Electronics Process Technology

关键词 LSI 掺杂 IG处理集成电路 CZSI

分类号 TN405.053 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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电子工艺技术

1990年第1期

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