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基于导弹羽烟紫外辐射的日盲型探测器 被引量：15

Solar-blinded detector by UV radiation from missile plume
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摘要 日盲型紫外探测器件是紫外告警技术的关键技术。介绍了目标(导弹羽烟)与背景的紫外辐射特征,讨论了紫外探测器件发展及特点。 Solar blinded UV detectors are the key technologies in UV warning system. The UV radiation characteristics of typical target （missile plume） and background are introduced. The current situation and char acters of the UV photo-electric detectors are discussed.
作者 李炳军 江文杰 梁永辉
机构地区 国防科技大学光电科学与工程学院
出处 《航天电子对抗》 2006年第6期7-10,共4页 Aerospace Electronic Warfare
关键词 日盲 紫外告警 紫外探测器 solar-blinded UV warning UV detector
分类号 V246 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献36

  • 1付伟.毫米波制导武器与对抗[J].航天电子对抗,1995,24(4):7-11. 被引量：1
  • 2冯包根.紫外线在舰船武备中的应用[J].舰船光学,1996(1):1-6. 被引量：4
  • 3侯印鸣.综合电子战[M].北京:国防工业出版社,2000.222-289.
  • 4许强.国外紫外告警技术发展综述[A]..电子对抗学会第9届年会论文集(下)[C].,1995.398-402.
  • 5Kozodoy,P.bbetson,J P.Marchand,H.Fini,P T.Keller,S.Speak J S.et al.Electrical characterization of GaN p-n junction with and without threading dislocation [J].Appl Phys Lett, 1998,73:975-977.
  • 6Fini,P. Zhao,L.Moran,B.Hansen M. et al.High-quality coalescence of laterally overgrown GaN/Sapphire seed Layers [J].Appl Phys Lett,1999,75:1706-1708.
  • 7Lamber D JH,Wong,Wong MM, et al. Appl phys lett [J],2000,77:1900-2.
  • 8Li. J, Oder T N. et al. Optical and electrical properties of Mg-doped p-typed AlxGa1-xN [J]. Appl Phys Lett,18 February 2002,80,(7): 1210-1212.
  • 9Yasan,A.McClintock,R. et al. Characteristics of high-quality p-type AlxGa1-xN/GaN supperlattices [J]. Appl Phys Lett,25 March 2002,80,(12): 2108-2110.
  • 10Brown,J D.Zhonghai,Mathews,J.Harney S. et al.Visible-blind UV digital camera based on 32X32 arry of GaN/AlGaN p-i-n photodiodes [J]. MRS internet J Nitride Semicond Res.1999,4.9.

共引文献52

同被引文献174

引证文献15

二级引证文献53

航天电子对抗
2006年 第6期

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