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MgB_2薄膜金属-绝缘体转变的研究

Study on MgB_2 thin film's metal-insulator transitions
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摘要 采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻温特性在175.9 K时发生了金属-绝缘转变.在Mott模型和Anderson模型下对此现象进行了解释. The MgB2 thin films have been successfully fabricated on the Si/MgO substrates with RF magnetron sputtering method. The influence of different annealing temperature on films＇ properties is analyzed with X-ray diffraction pattern. The characteristic of resistance-temperature is studied with the method of direct current four probe. The results show that the correlation of electrons leads to metalinsulator transitions at 175.9 K. The phenomenon is explained well with Mott-model and Andersonmodel.
作者 李彦炜 孙爱民 朱海滨 陈团结 艾德臻
机构地区 西北师范大学物理与电子工程学院
出处 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期50-53,90,共5页 Journal of Northwest Normal University(Natural Science)
基金 国家自然科学基金资助项目(60276015)
关键词 磁控溅射 MgB2薄膜 XRD Mott模型 ANDERSON模型 magnetron sputtering MgB2 thin film XRD Mott model Anderson model
分类号 O511 [理学—低温物理]
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共引文献1

西北师范大学学报（自然科学版）
2007年 第1期

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