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IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%

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摘要 全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司(IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET,采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200V FIEXFET MOSFET硅技术,可实现95%的效率。
出处 《电源技术应用》 2007年第1期73-73,共1页 Power Supply Technologles and Applications
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