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IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%
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摘要
全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司(IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET,采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200V FIEXFET MOSFET硅技术,可实现95%的效率。
出处
《电源技术应用》
2007年第1期73-73,共1页
Power Supply Technologles and Applications
关键词
DIRECTFET
功率MOSFET
IR
国际整流器公司
功率半导体
封装技术
硅技术
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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电源技术应用
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