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异质外延生长金刚石薄膜的研究
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1
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摘要
本文用氢气、丙酮作为气体源,用微波等离子体化学气相沉积方法,在CBN单晶的(111)晶面及单晶硅的(100)晶面上进行了金刚石薄膜异质外延生长的研究。用SEM、MLR和X—ray衍射方法对试验结果进行了观察、分析。通过实验发现,在CBN单晶的(111)晶面及单晶硅的(100)晶面上直接实现金刚石薄膜的异质外延生是不太可能的。
作者
李嘉
张战
马丽莹
机构地区
机械部郑州磨料磨具磨削研究所
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
1996年第6期8-10,共3页
Diamond & Abrasives Engineering
关键词
金刚石
薄膜
外延生长
同质外延
异质外延
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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金刚石与磨料磨具工程
1996年 第6期
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