GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除

REMOVING OF THE CARBON CONTAMINATION FROM GaAs, GaP, InP, GalnAs AND GalnPAs SURFACES

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摘要本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。 The different results of removing the carbon contamination with UV/O2 from the GaAs, GaP, InP, GalnAs and GafnPAs surfaces are given.

作者陶兆民夏长虹潘晓丹潘峡

机构地区中国科学院电子学研究所

出处《电子科学学刊》 CSCD 1989年第1期107-112,共6页

基金中国科学院自然科学基金

关键词晶体表面碳污染 UV/O3法 AES Photoemission material UV/O2 AES surface analysis

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

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