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使用Agilent矢量网络分析仪解决射频和微波测量领域的难题 被引量:1

Solve the Hard nut in RF and Microwave Measurements by Using Agilent VNA
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摘要 对高频率元器件的线性和非线性性能进行精确表征,以及获得更高的子系统集成能力的需求,正在逐渐改变着射频和微波设备的测试方式。本文将详细阐述这个问题,并介绍如何通过在测试系统中添加备用的内置信号发生器,以及通过增加扩展测试端口的数量,更有效地使用矢量网络分析仪(VNA)。此外,本文还介绍了为使校准精度保持双端口S参数测量的水平,VNA校准方法的演进过程。
作者 David Ballo
机构地区 安捷伦科技公司
出处 《世界电子元器件》 2007年第1期68-71,共4页 Global Electronics China
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同被引文献9

  • 1唐宗魁 张佩叶.矢量网络分析仪的测量精度.科技信息科教前沿,2008,20:396-398.
  • 2KAIJA T, RISTOLAINEN E O. An experimental study of scalability in shield-based on-wafer CMOS test fixtures.[J] IEEE Trans Mierow Theory Tech, 2004, 52(3): 945-949.
  • 3ANDY F, LORENE S, GOUTAM C, et al. Two-Port vector network analyzer measurements up to 508 GHz [J]. IEEE Trans Theory Tech, 2007, 57(2): 1166-1170.
  • 4TIEMEIJER L F, HAVENS R J.A calibrated lumped-element de-embedding technique for on-wafer RF characterization of high-quality inductors and high-speed transistors[J]. IEEE Trans Electron Device, 2003, 50, (3): 822.
  • 5MAGET J. Varactors and inductors for integrated RF circuits in standard CMOS technologies. PhD Dissertation[J]. University of Bundeswehr, Neubiberg, Germany, 2002.
  • 6DEAL W R., MEI X B, RADISIC V, et al. Demonstration of a 270 GHz MMIC amplifier using 35-nm InP HEMT technology [J]. IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., 2007, 17 (5): 391-393.
  • 7FUNG A K, DAWSON D, SAMOSKA L, et al. On-wafer vector network analyzer measurements in the 220-325 GHz frequency band[J]. IEEE MTT-S Int. Microw. Syrup. Dig, 2006: 1931-1934.
  • 8胡江,孙玲玲.一种用于在片器件直接测量的新型SOLT校准方法[J].微波学报,2006,22(B06):135-137. 被引量:9
  • 9刘祖深.微波毫米波测试仪器技术的新进展[J].电子测量与仪器学报,2009,23(3):1-8. 被引量:32

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