期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
STD11NM60N:MOSFET
下载PDF
职称材料
导出
摘要
意法半导体推出其新系列功率“MOSFET的首款产品STD11NM60N。新产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优异,可降低照明应用的传导损耗、提升效率和可靠性。
出处
《世界电子元器件》
2007年第1期78-78,共1页
Global Electronics China
关键词
MOSFET
动态特性
意法半导体
通态电阻
传导损耗
提升效率
新系列
可靠性
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
元器件与组件[J]
.今日电子,2007(8):117-118.
2
Si7137DP:P通道TrenchFET MOSFET[J]
.世界电子元器件,2009(5):41-41.
3
IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率[J]
.电子设计工程,2011,19(19):161-161.
4
低导通电阻20V MicroFET MOSFET[J]
.今日电子,2009(6):65-65.
5
季建平.
IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列[J]
.半导体信息,2014(2):6-7.
6
飞兆60VMOSFET的首款器件FDMS86500L面市[J]
.中国集成电路,2011,20(6):9-9.
7
Vishay发布新款快恢复二极管,减少传导损耗并提高效率[J]
.集成电路通讯,2015,0(3):15-15.
8
Peter James Miller.
J/K方法:选择最佳MOSFET的技巧[J]
.电子与电脑,2011(4):64-67.
9
David Morrison,王正华.
500V功率MOSFET[J]
.今日电子,2009(11):66-66.
10
测量并抑制同步降压型转换器中的Cdv/dt感应导通[J]
.今日电子,2004(9):48-49.
世界电子元器件
2007年 第1期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部