摘要
通过PSPICE对金属-半导体-金属光探测器(MSM-PD)进行晶体管级的电路模拟,分析了以E.Sa-no模型为基础的MSM-PD的电学特性.通过改变模型参数模拟了MSM-PD器件的直流、交流和瞬态特性,为高性能器件设计研究提供了一个新的方法.
The paper focuses on the simulation of MSM-PD in transistor level with PSPICE, and analyses the electronic characteristic of MSM-PD based on E. Sano model. Besides, the DC, AC and transient properties of MSM-PD by changing the parameters of the model are simulated. It will provide a new method for designing devices of high performance.
出处
《安徽工程科技学院学报(自然科学版)》
CAS
2006年第4期56-58,共3页
Journal of Anhui University of Technology and Science
基金
安徽省教育厅科研基金资助项目(2003kj036)