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多孔钨铯离子源

A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE
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摘要 在光电阴极的制备及对光电阴极作表面分析中,铯离子源较中性铯源具有一定的优点。根据表面电离的原理,铯离子源使用了多孔钨、铯盐及其还原剂。本文介绍了铯离子源的制备,报告了实际测量结果。 In the surface analysis and the manufacture of photocathode the cesium ion source shows some advantages as compared with the neutral cesium source. According to the principle of surface ionization, a cesium ion source is manufactured with porous tungsten and cesium chromate. A tablet of porous tungsten and a nickel tube are welded by a laser beam. The ion source is heated to about 1000K io terms of an indirect heating oven and its experimental results are given.
出处 《电子科学学刊》 EI CSCD 1990年第4期446-448,共3页
关键词 多孔钨 铯离子源 光电阴极 制备 Cesium ion source Surface ionization Porous tungsten Ion current
  • 相关文献

参考文献4

  • 1赵守珍,真空科学和技术,1989年,9卷,3期,203页
  • 2张华顺,离子束源和大功率中性束源,1987年
  • 3吴兆皓,摩擦学学报,1986年,8卷,6期,442页
  • 4李昌全,真空技术,1976年,5卷,2期,40页

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