摘要
在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封装过程.本方讨论了以下几个难题:(a)不同的绝缘体在硅膜片中产生不同的应力,这是一个很重要的问题,因为用作压力传感器的膜片随着技术的进展正变得越来越薄(5μm或更少些).(b)在硅膜片和梁上制作的金属线图案引起的复杂热应力模式.而这些模式除了用有限元计算外,任何方法分析起来都是困难的.
出处
《电子器件》
CAS
1990年第3期44-44,共1页
Chinese Journal of Electron Devices
