摘要
将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu复合薄膜应用于CdS/CdTe太阳电池,作为碲化镉与金属背电极间的过渡层.比较了有无ZnTe复合背接触层的两种CdTe电池的光、暗电流-电压(I-V)曲线和电容-电压(C-V)特性,并研究了本征ZnTe薄膜厚度和背接触层的退火温度对电池性能的影响.结果表明,有复合背接触层的CdTe光伏器件,能够消除暗I-V曲线饱和与光、暗I-V曲线交叉现象,且填充因子在没有高阻透明薄膜的情况下达到了73%.结合CdTe电池的能带图讨论了其中的原因.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2007年第1期20-25,共6页
Science in China(Series E)
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(编号:2003AA513010)
