期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型

Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs
原文传递
导出
摘要 提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MED ICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义。 A simplified threshold voltage model of fully depleted SOI MOSFET is proposed. This model has an evidently physical meaning and simple form. It doesnt need complex computation. This model is proved to be accurate by comparing with MEDICI simulation under different conditions. This model has significant meaning for research on device characteristics and process design.
作者 李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生
机构地区 中国科学院微电子研究所
出处 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期73-77,共5页 Journal of Functional Materials and Devices
关键词 全耗尽SOI MOSFET 阈值电压 模型 fully depleted SOI MOSFET threshold voltage model
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献11

  • 1Colinge J P.Silicon-On-Insulator Technology:materials to VLSI[M].Boston:Kluwer Academic publishers,1991.
  • 2Hou Chin -Shan,Wu Chin-Yuan.A 2-D analytic model for the threshold-voltage of fully depleted short gate-length Si -SOI MOSFET's[J].IEEE Trans Electron Devices,1995,42(12):2156 -2162.
  • 3ChiangT K,Wang Y H,Houng M P.Modeling of threshold voltage and subthreshold swing of short-channel SOI MESFET's[J].Solid-State Electronics,1999,43:123 -129.
  • 4Cheng Bin-jie,Shao Zhi-biao,Tang Tian-tong,et al.Modeling of subthreshold characteristics of deep-submicrometer FD devicesp[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(7):908-914.
  • 5付军,田立林,钱佩信,罗台秦.全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型[J].电子学报,1996,24(5):48-52. 被引量：2
  • 6Baquer Mazhari,Dimitris E,Ioannou.Surface potential at threshold in thin-film SOI MOSFET's[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1993,40(6):1129-1133.
  • 7Mohamed A Imam,Mohamed A Osman,Ashraf A Osman.Modeling the threshold voltage of long and short-channel fully depleted SOI MOSFET's with back gate substrate induced surface effects[C].21st international conference on microelectronics,1997,:343-346.
  • 8Konrad Young K.Short -channel effect in fully depleted SOI MOSFET's[J].IEEE Trans Electron Devices,1989,36(2):399 -402.
  • 9Zhi-Hong Liu,Chenming Hu,Jian-Hui Huang,et al.Threshold voltage model for deep-submicrometer MOSFET 's[J].IEEE Trans Electron Devices,1993,40(1):86-95.
  • 10James B Kuo,Su Ker-wei.CMOS VLSI engineering silicon-on-insulator (SOI)[M].Kluwer academic publishers,1998.

二级参考文献4

共引文献1

功能材料与器件学报
2007年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部