摘要
采用空气中一次烧成新工艺,系统地研究了稀土掺杂和化学计量比对SrTiO_3晶界层电容器陶瓷显微结构和性能的影响。得到了介电常数ε≥50000、介质损耗tgδ≤0.010、介电常数温度系数(-25～+85℃)a_ε=(±10～±12)%的La掺杂SrTiO_3电容器。实验结果表明:掺杂稀土元素的种类和数量的不同以及取不同的Ti/Sr比,对SrTiO_3电容器电参数均有很大的影响。
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1990年第1期13-18,共6页
Electronic Components And Materials
