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PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结
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摘要
研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。
作者
熊茂仁
朱迅德
赵子衷
机构地区
华南理工大学
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1990年第5期21-27,共7页
Electronic Components And Materials
关键词
多层陶瓷
电容器
瓷料
低温烧结
分类号
TM534.1 [电气工程—电器]
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电子元件与材料
1990年 第5期
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