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PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

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摘要 研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。
机构地区 华南理工大学
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1990年第5期21-27,共7页 Electronic Components And Materials
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