摘要
与当今的平面单栅技术相比.多栅技术能够在保持高功能性的同时大幅度削减功耗。在这项新技术的一次演示中.英飞凌研究人员成功测试世界上第一个运用全新6Bnm多栅晶体管结构制造的复杂集成电路。与目前具有同等功能与性能的平面单栅晶体管相比.全新晶体瞥的尺寸要小30%.静态电流值降低了10倍。据研究人员计算.这种多栅技术将大大提高移动设备的能源效率和电池工作时间(比已经投产的65nm工艺高出一倍)。对于未来技术节点(32nm及更高水平).能源效率的提高幅度将更大。
出处
《电子与电脑》
2007年第1期27-27,共1页
Compotech