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CuO气相扩散及其热处理制度对SrTiO_3 BLC性能的影响 被引量:6

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摘要 本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10^(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25~+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1990年第6期19-22,共4页 Electronic Components And Materials
  • 相关文献

同被引文献27

  • 1周和平,CN 1098,396A,1995年
  • 2方开泰,均匀设计与均匀设计表,1994年,13页
  • 3叶庆凯,优化与最优控制中的计算方法,1986年,44页
  • 4Wang Y,Kexue Tongbao,1981年,26卷,485页
  • 5邹秦,硅酸盐学报,1996年,24卷,185页
  • 6Qing Zou,J Am Ceram Soc,1995年,8卷,58页
  • 7Jeeon Jae Ho,J Am Ceram Soc,1994年,77卷,1688页
  • 8方开泰,均匀设计与均匀设计表,1994年
  • 9邹秦,材料科学进展,1993年,7卷,541页
  • 10钟吉品,无机材料学报,1988年,3卷,323页

引证文献6

二级引证文献7

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