摘要
对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行A lAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 nm。最后通过制成RTD器件对材料进行验证,器件测试结果表现出良好的直流特性。
High quality AlAs/GaAs/InGaAs resonant tunnelling diode（RTD） structures grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy （MBE） system are characterized by photoluminescence （PL）. The experimental results show that the FWHMs of PL spectrum is 62.6 nm. The RTD device is fabricated and I - U characteristics and parameters have been measured,the result is good.
出处
《电子工艺技术》
2007年第1期31-33,37,共4页
Electronics Process Technology
基金
河北省重点自然科学基金项目(项目编号:F200400078)
