世界上首块GaN/金刚石晶片

美国Group4LabsLLC公司开发出他们声称是世界上的酋片金刚石上Cab／半导体晶片。这块金刚石上GaN昌片研嗣了3年，昌片与合成金刚石衬底之同的同隙不到0．5nm。这种晶片对于高功率及高额电子应用、固体白光照明、光电子和军事应用来说具有高温回弹能力。其军事用途是雷达用微波、毫米波电路和通信卫星。该芯片适合用于常规外延生长Cab／及其A1合金与In基合金。初次获得的上述昌片的尺寸为10mm×10mm。