Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0．72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。