赝立方结构的Si_3P_4、Ge_3P_4、Sn_3P_4电子结构和光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数。研究结果为这类材料的应用提供了理论依据。