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叠层MRAM封装的磁屏蔽
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摘要
MRAM是一种很有希望的通用存储器候选技术。因为它具有非易失性、高速度、与常规CMOS的兼容性。以及抗辐射的潜力。PoP堆叠技术能够提高封装存储密度并有效地解决磁屏蔽问题。
作者
Guilian Ga Kenneth Honer
机构地区
Tessera Inc
出处
《集成电路应用》
2007年第1期48-51,共4页
Application of IC
关键词
MRAM
磁屏蔽
封装
叠层
堆叠技术
非易失性
CMOS
存储密度
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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