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电介质刻蚀工艺简介

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摘要 随着半导体技术的发展,衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸(GD)亦朝着细微化方向发展,从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米甚至更小。而刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。
作者 任伟
出处 《集成电路应用》 2007年第1期56-56,共1页 Application of IC
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