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电介质刻蚀工艺简介
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摘要
随着半导体技术的发展,衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸(GD)亦朝着细微化方向发展,从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米甚至更小。而刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。
作者
任伟
机构地区
应用材料(中国)有限公司
出处
《集成电路应用》
2007年第1期56-56,共1页
Application of IC
关键词
刻蚀工艺
电介质
半导体制造技术
半导体技术
简介
特征尺寸
关键参数
细微化
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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