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论真空交流接触器触头有效侵蚀率

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摘要 本文拟从真空电弧的基本形态出发,阐明在不同电弧形态下触头侵蚀率的不同,再根据真空交流接触器结构和使用条件的特点论述触头的有效侵蚀率,最后列举国外的作者获得的一些实验数据,指出了选用这些数据的原则和方法供国内从事真空接触器灭弧室设计和开发的工程枝术人员参考。
作者 程礼椿
机构地区 华中理工大学
出处 《华通技术》 1996年第4期11-16,共6页
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