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模拟器件

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摘要 Velocity DDR1/2存储器接口;FSUSB30:USB2.0开关;ISL21009:低噪声电压基准;IRF6643TRPbF:MOSFET。
出处 《世界电子元器件》 2007年第2期85-87,共3页 Global Electronics China

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