弱氦-氖激光血管内照射对缺血再灌注大鼠脑组织血管内皮生长因子表达的影响

目的探讨弱氦-氖激光血管内照射对大鼠脑缺血再灌注后血管内皮生长因子表达的影响。方法采用线栓法制作大鼠大脑中动脉缺血再灌注模型，选取Zea—Longa法评分为1～3分的雄性SD大鼠40只，随机分成实验组和对照组，每组各20只。再灌注后2h实验组予以弱氦-氖激光血管内照射，照射时间20min，隔日1次，3次为1疗程；对照组同样予以静脉穿刺，但无激光输出。第6d疗程结束后，行为评分后处死大鼠，脑组织包埋、切片，HE染色，测定脑梗死体积比，采用免疫组化SP法检测血管内皮生长因子表达变化。结果治疗后实验组行为评分低于对照组[（1．40±1．05） vs （2．70±1．08），P=0．OOO]；实验组脑梗死体积比低于对照组[（7．67±1．73）％ vs （11．36±1．68）％，P=0．OOO]；实验组梗死周边血管内皮生长因子表达较对照组增加[IOD值（8．18±1．29） vs （18．62±1．55），P=0．000]。结论弱氦-氖激光血管内照射能明显上调脑缺血再灌注周边区血管内皮生长因子的表达，减轻大鼠大脑中动脉缺血再灌注脑损伤和神经功能缺损。这可能是弱氮-氖激光血管内照射疗法改善急性缺血性脑卒中预后的作用机制之一。