GaN器件需要更好的衬底

按Strategies Unlimited最近的研究报告“GaN器件衬底：性能和市场评析”，对蓝紫光激光二极管、紫外LED和大功率射频（RF）器件的需求不断增加将为先进衬底，如GaN和AIN开辟很好的市场。采用GaN或AIN衬底可制备出高性能器件，因为这些衬底与器件有良好的晶格匹配和热匹配。随着市场需求扩大，许多公司正计划研制这些衬底；住友电工、Cree．三星Corning等大公司以及一些较小的公司，如CrystaIIS、The FOX Group，Kyma；Lumilog、TDI和TopGaN等；它们除努力研制这些先进衬底外，还致力于提高目前常用衬底（直径3″和更大的蓝宝石和SiC）的质量。全球涉足这方面工作的有48家公司和118所大学及研究中心。基于对这些器件的需求预测，全球对衬底的需求预测从21006年的3．4美元增长到2010年的8．8亿美元，2010年CraN和AIN衬底的销售额将超过50％。