多晶硅上高欧姆电阻的制作技术

本文介绍了一种在多晶硅上应用两次离子注入制作高精度电阻的方法，在实际的2μmCMOS电路生产中获得了成功应用。作者试图运用晶粒间界模型解释此过程的反常退火现象，并运用一套较为合理的工艺方案，达到了预期目的。