出处
《微电子技术》
1996年第4期58-61,共4页
Microelectronic Technology
同被引文献19
-
1叶方,高雪松,周琴.集成电路塑封中引线框架使用要求[J].电子与封装,2003,3(2):26-29. 被引量：19
-
2伍隽,杨邦朝.IC封装材料市场发展分析[J].电子与封装,2002,2(3):7-9. 被引量：4
-
3陈丽君,张甫飞,林冀,王孝培.FeNi合金薄带的残余应力分析[J].上海钢研,1994(6):29-31. 被引量：1
-
4孔焕文,陈英芬,王孝培.借助腐蚀技术研究Ni42合金薄带的应力分布[J].上海有色金属,1994,15(3):135-139. 被引量：2
-
5王焰.IC引线框架材料的发展动向[J].金属功能材料,1995,2(2):49-51. 被引量：6
-
6林冀,王孝培.集成电路引线框架材料成品退火工艺探讨[J].上海钢研,1995(6):28-32. 被引量：3
-
7林冀.IC引线框架用Ni42合金带显微组织的研究[J].上海钢研,1996(2):16-19. 被引量：2
-
8冯亚林,张蜀平.集成电路的现状及其发展趋势[J].微电子学,2006,36(2):173-176. 被引量：23
-
9向文永,陈小祝,匡同春,成晓玲,钟秋生,刘国洪.集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势[J].材料导报,2006,20(3):122-125. 被引量：44
-
10刘凯,齐亮,谢春晓.IC引线框架材料概述[J].热处理,2006,21(2):21-24. 被引量：10
-
1薛剑峰.键合用金丝的可靠性及其评价[J].江苏冶金,1989(6):26-28.
-
2黄锡珉.TFT LCD技术的发展[J].电子产品世界,1999,6(9):19-20. 被引量：1
-
3陈平.TO-3P(N)IS裸铜引线框组装工艺研究[J].微电子技术,2001,29(6):43-44.
-
4一凡.引线框架材料[J].电子材料快报,1996(3):2-2.
-
5碳纳米管将成为芯片未来之星[J].微纳电子技术,2006,43(12):600-600.
-
6郭大琪.陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)[J].微电子技术,1996,24(5):17-21. 被引量：1
-
7John Baliga.把握市场机遇的绝缘键合引线技术[J].集成电路应用,2006,23(7):39-39.
-
8李祥.干法刻蚀铝合金引线产生的后腐蚀及其对策[J].微电子技术,1996,24(1):35-41.
-
9K＆S公司和Microbonds结成引线接合封装同盟[J].半导体技术,2005,30(9):81-81.
-
10王铁坤,许幸,朱洪忠.在同一机器上进行铁镍和铜材引线框的Sn/Pb电镀[J].微电子技术,1995,23(4):38-45.
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