低压VD MOS大功率晶体管设计及其优化

本文着重分析了低压超大电流VDMOS所要解决的技术关健点，并做了深入地理论分析，包括超大流下电流容量、元胞结构、终端结构及相应外延参数等的选取，以获得尽可能大的电流容量和极小的导通电阻、以及较优的耐压性能，最终对一个电流约30A，耐压约60V的芯片进行了流水试验，并获得满意的使用效果。