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氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究
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摘要
本文讨论了扫描俄歇微探针(SAM)的绝缘介质膜分析,重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果,通过多种方法消除电荷积累效应,克服SAM仪器本身的局限,取得了满意的分析结果。
作者
陈明华
成巨华
王继华
机构地区
中国华晶电子集团公司技术支援中心
出处
《微电子技术》
1996年第6期40-44,共5页
Microelectronic Technology
关键词
氮化硅
绝缘介质膜
SAM分析
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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微电子技术
1996年 第6期
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